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ホールセンサ

図 3.49 ホール素子
半導体に、x 方向に電流を流し、y 方向に磁場をかける。 この時試料を流れている荷電粒子(キャリア)は 図3.49のように 磁場による ローレンツ力を受けて z 方向に動く。 これによって電流と磁場の両方に直交する方向に電場(ホール電場)が現れる。 これがホール効果である。 ホール素子などによる磁場の検出に用いられるほか、 半導体の電気的特性の測定などに応用される。
Rh : ホール係数、 B : 磁界、 I : 電流とすると、式 (3.22)に示すホール電圧を生じる。
\begin{displaymath}
V_h=R_h I \frac{B}{d}
\end{displaymath} (3.21)
ホール係数の大きな InSb(インジウムアンチモン)、GaAs(ガリウム砒素)や Si が用いられる。
InSb(インジウムアンチモン)は低電流動作、 GaAs(ガリウム砒素)は低電圧動作がお勧めであるとしている[14]。 このホール素子とデジタル化IC を組み合わしたものを ホールICといい、磁界の 検知出力が ON/OFF であるものが多い。


Ken Kishimoto 平成19年3月18日